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AI算力越強,芯片越"燙"?三安光電用碳化硅給先進封裝"退燒"


中國產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟信息網(wǎng)   時間:2026-04-15





  AI算力競賽正將半導體先進封裝推向產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略制高點。隨著芯片功耗與集成度飆升,傳統(tǒng)硅基材料在散熱環(huán)節(jié)頻頻"亮紅燈"。國內(nèi)化合物半導體龍頭三安光電,正依托碳化硅、金剛石等寬禁帶材料的全鏈布局,從材料源頭切入先進封裝,直擊高功率芯片的散熱痛點。

  據(jù)FortuneBusinessInsights統(tǒng)計,2025年全球先進封裝市場規(guī)模已達423.6億美元,預計2034年將增至704.1億美元。市場高速擴張的背后,是AI芯片對更高算力、更高帶寬、更高集成度的極致追求。產(chǎn)業(yè)共識認為,關鍵材料創(chuàng)新已成為突破封裝性能瓶頸的核心驅(qū)動力。三安光電旗下湖南三安聚焦碳化硅中介層、熱沉散熱、AR光學襯底三大方向,多項成果已進入送樣或批量交付階段。

  碳化硅中介層:為CoWoS"退燒"

  當前主流的CoWoS封裝技術中,硅中介層在高功率場景下散熱能力捉襟見肘。碳化硅熱導率約為硅的3倍,可將GPU芯片結溫降低20–30°C,散熱成本下降約30%。三安光電已實現(xiàn)12英寸碳化硅襯底的研發(fā)與小批量送樣,為應對AI芯片封裝的中介層瓶頸及潛在巨量市場做好了技術儲備。

  熱沉雙路線:金剛石與碳化硅并進

  隨著封裝集成度提升,熱管理已從輔助環(huán)節(jié)升級為核心痛點。三安光電采用碳化硅、金剛石雙路線并行策略。其研發(fā)的金剛石熱沉基板熱導率最高達2300 W/m?K,電阻率達2.3×101?Ω?cm,在大功率激光器中較傳統(tǒng)陶瓷基板熱阻降低81.1%,并通過1000小時老化測試,目前該產(chǎn)品已在高熱流密度場景批量交付。

  碳化硅光學襯底:撬動AR眼鏡新應用

  在AR光學領域,碳化硅折射率高達2.7(傳統(tǒng)玻璃約2.0),熱導率為玻璃的百倍以上,可顯著提升全內(nèi)反射效率并解決高功率光源散熱難題。作為同時擁有Micro LED與12英寸碳化硅光學材料的企業(yè),三安光電的碳化硅光學襯底面型參數(shù)行業(yè)領先,已向多家國內(nèi)外終端及光學元件廠商小批量交付,正配合客戶進行材料與光學設計迭代。

  雙基地協(xié)同:產(chǎn)能矩陣逐步釋放

  三安光電已構建湖南、重慶雙基地協(xié)同的碳化硅全鏈產(chǎn)能矩陣。湖南基地6英寸碳化硅配套產(chǎn)能16000片/月,8英寸襯底產(chǎn)能1000片/月、外延2000片/月,8英寸芯片產(chǎn)線已通線;重慶基地8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能3000片/月正逐步釋放,形成從襯底到模塊的完整制造能力。

  隨著混合鍵合、玻璃基板、背面供電等先進封裝工藝走向成熟,材料創(chuàng)新將成為技術演進的核心驅(qū)動力。三安光電正以更優(yōu)的熱管理性能和產(chǎn)業(yè)化能力,深度融入先進封裝產(chǎn)業(yè)鏈,為算力時代的散熱難題提供堅實底座。


  轉自:中華網(wǎng)

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