近日，復(fù)旦大學(xué)集成芯片與系統(tǒng)全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、集成電路與微納電子創(chuàng)新學(xué)院團(tuán)隊(duì)成功研發(fā)出全球首顆二維-硅基混合架構(gòu)閃存芯片，解決了長期困擾行業(yè)的存儲速率技術(shù)難題。

　　如今，數(shù)據(jù)存取性能面臨著極致要求，傳統(tǒng)存儲器的速度與功耗已成為阻礙算力發(fā)展的關(guān)鍵瓶頸。而此次復(fù)旦團(tuán)隊(duì)研發(fā)的閃存芯片，將二維超快閃存器件"破曉（PoX）"與成熟硅基 CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）工藝深度融合，創(chuàng)造出"長纓（CY-01）"架構(gòu)。芯片讀寫操作速度快至20納秒，核心存儲單元擦寫速度達(dá)到400皮秒，寫入每比特?cái)?shù)據(jù)能耗僅0.644皮焦耳，性能遠(yuǎn)超傳統(tǒng)閃存。為解決二維材料與CMOS集成的難題，團(tuán)隊(duì)提出了創(chuàng)新的模塊化集成方案：先獨(dú)立制造二維存儲電路與

　　CMOS控制電路，再通過"分離制造-單片互連"模式及高密度互連技術(shù)完成集成，實(shí)現(xiàn)了原子尺度上二維材料和 CMOS襯底的緊密貼合，最終芯片制造良率高達(dá)94.3%。目前，該團(tuán)隊(duì)已為相關(guān)技術(shù)進(jìn)行了專利布局。

　　據(jù)悉，該團(tuán)隊(duì)下一步計(jì)劃建立實(shí)驗(yàn)基地，與相關(guān)機(jī)構(gòu)合作開展自主的工程化項(xiàng)目。（郭冬玲）

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