近日，中國移動研究院成功自主研制出中國移動首款新結構硅基外腔混合集成光源芯片，相關成果被光學領域頂級學術期刊Photonics Research錄用（影響因子7.2，中國科學院1區(qū)TOP）。

　　該芯片本征線寬（衡量信號頻率穩(wěn)定性的核心指標）達34.2 Hz，相位噪聲比現(xiàn)有產(chǎn)品降低三個量級（本征線寬從數(shù)十kHz降低到數(shù)十Hz），為每秒可傳送萬億比特數(shù)據(jù)的T比特級下一代光傳輸技術提供了全新解決方案。

　　面對T比特級光傳輸"擴波段""提速率"的挑戰(zhàn)，研發(fā)團隊通過三大技術創(chuàng)新突破瓶頸：一是用"反向游標"結構實現(xiàn)超200nm超寬譜調(diào)諧，較現(xiàn)有商用產(chǎn)品提升100％；二是攻克增益難題，實現(xiàn)多波段無縫切換；三是采用低損氮化硅諧振腔，讓線寬僅為現(xiàn)有商用產(chǎn)品的千分之一。

　　歷經(jīng)3年攻關，團隊全程主導從結構設計、參數(shù)仿真到版圖布局、流片封裝、原型驗證的全流程研發(fā)，在實現(xiàn)調(diào)諧范圍、線寬等關鍵性能指標突破的同時，通過優(yōu)化結構設計和版圖布局，將芯片面積縮減90％，達到1.5mm×4mm，且兼容標準的緊湊型nano封裝，具備產(chǎn)品化前景。該芯片從設計、制備到封裝均在國內(nèi)完成，實現(xiàn)了全鏈條自主可控。（記者 谷偉　通訊員 韓柳燕）

　　轉自：人民郵電報

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