本報訊 近日獲悉，為推動節(jié)能降耗，促進電力電子技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，國家發(fā)改委等有關(guān)部門將安排補貼資金支持新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化。

　　隨著我國智能電網(wǎng)、高鐵、新能源汽車以及節(jié)能家電等產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，對５英寸及６英寸晶閘管、集成門極換流晶閘管（ＩＧＣＴ）、 絕緣柵雙極晶體管（ＩＧＢＴ）的需求量迅速增大。２００９年我國ＩＧＢＴ的市場規(guī)模為５３億元左右，預(yù)計未來幾年ＩＧＢＴ市場規(guī)模將年增２０％－３０％。

　　由于我國只有少數(shù)小功率ＩＧＢＴ的封裝線，還不具備研發(fā)、制造管芯的能力和大功率ＩＧＢＴ的封裝能力，因此，目前國內(nèi)市場所需的高端電力電子器件主要依靠進口，技術(shù)上長期受制于人。

　　國家發(fā)改委表示，２０１０年將支持金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（ＭＯＳＦＥＴ）、ＩＧＣＴ、ＩＧＢＴ、超快恢復(fù)二極管（ＦＲＤ）等量大面廣的新型電力電子芯片和器件的產(chǎn)業(yè)化。

　　據(jù)悉，國家發(fā)改委將組織實施新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專項，鼓勵符合條件的企業(yè)申請國家補貼資金支持。國家補貼資金主要用于新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化項目的研究開發(fā)、購置研究開發(fā)及工程化所需的儀器設(shè)備、改善工藝設(shè)備和測試條件、建設(shè)產(chǎn)業(yè)化或工程化驗證成套裝置和試驗裝置、建設(shè)必要的配套基礎(chǔ)設(shè)施、購置必要的技術(shù)和軟件等。

來源：中國高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)導(dǎo)報

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